介電常數(shù)實驗裝置標準配置：

介電常數(shù)實驗裝置平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。是反映材料電介質在靜電場作用下介電性質或極化性質的主要參數(shù)，通常用ε來表示。不同用途的壓電元件對壓電智能材料的介電常數(shù)要求不同。當壓電智能材料的形狀、尺寸一定時，介電常數(shù)ε通過測量壓電智能材料的固有電容CP來確定。

技術參數(shù):

1. Q值量程分檔：30、100、300、999、自動換擋2. 電容測量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測量見使用規(guī)則)3. 準確度：±0.2pF4. 振蕩頻率范圍：10kHz~70MHz介質在外加電場時會產生感應電荷而削弱電場，原外加電場（真空中）與最終介質中電場比值即為介電常數(shù)，又稱誘電率，與頻率相關。介電常數(shù)是相對介電常數(shù)與真空中絕對介電常數(shù)乘積。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，電場的強度會在電介質內有可觀的下降。理想導體的相對介電常數(shù)為無窮大。測量方法：相對介電常數(shù)εr可以用靜電場用如下方式測量:首先在兩塊極板之間為真空的時候測試電容器的電容C0。然后，用同樣的電容極板間距離但在極板間加入電介質后測得電容Cx。