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50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述:50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容,測(cè)量材料介損更為方便。橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀,外圍接線及少。橋體采用了多樣化的介損測(cè)量.

更新時(shí)間:2024-07-16

產(chǎn)品型號(hào):GDAT-A

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:950

產(chǎn)品詳情
品牌北廣精儀應(yīng)用領(lǐng)域食品,化工,生物產(chǎn)業(yè),地礦,能源

50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 

參數(shù)規(guī)格

1、測(cè)量范圍及誤差 

               在Cn=100pF    R4=3183.2(Ω)(即10K/π)時(shí)

測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差

電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF

介質(zhì)損耗tgδ 0~1 ±1.5%tgδx±1×10-4

             在Cn=100pF    R4=318.3(Ω)(即1K/π)時(shí)

測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差

電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±2pF

介質(zhì)損耗tgδ 0~0.1 ±1.5%tgδx±1×10-4

Cx=R4×Cn/R3

tgδ=ω?R4?C4

高壓電源技術(shù)特性

電壓輸出:0~2500V/50Hz

高壓電流輸出:0~20mA

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器

電容量的名義值為100pF

tgδ小于5×10-5

固體絕緣材料測(cè)試電極

本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對(duì)介電系數(shù)(ε)與介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)的測(cè)試。本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測(cè)量試品的相對(duì)介電系數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角正切值(tgδ)。本電極的設(shè)計(jì)主要是參照國(guó)標(biāo)GB1409-2006。

  本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu),能有效的消除表面漏電流的影響,使測(cè)量電極下的電場(chǎng)趨于均勻電場(chǎng)。

50HZ工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 

影響介電性能的因素

下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。    

1)頻率

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。

電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

2)溫度

損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)zhi大值,這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)zhi大值位置。

3)濕度

極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是的。 

注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。

4)電場(chǎng)強(qiáng)度

 存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)zui大值的大小和位置也隨此而變。

 在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)。

506.jpg


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